Samsung podría utilizar el proceso de fabricación de 3 nanómetros de TSMC para la memoria de alto ancho de banda (HBM) personalizada de Nvidia, la NVHBM. Según una noticia publicada el 18 de octubre por el Seoul Economic Daily, este cambio afecta al chip lógico situado debajo de la pila de memoria, es decir, al chip base. Si se confirma esta afirmación, de la que también se hace eco Reuters, Samsung y TSMC colaborarán por primera vez directamente en la fase de producción de HBM. Sin embargo, la noticia no se basa en un acuerdo anunciado por las empresas, sino en fuentes del sector citadas por el periódico.
El periódico señala que Nvidia ha transmitido la misma solicitud a Samsung, SK hynix y Micron. Según esta información, se pidió a los tres fabricantes que utilizaran el proceso de 3 nanómetros de TSMC en los chips base de NVHBM y la tecnología DRAM de sexta generación 1c en las capas de memoria de almacenamiento de datos. Se afirma que Samsung aceptó estas condiciones tras una evaluación interna de la empresa.
¿Por qué es importante el cambio en el componente del NVHBM?
Esta distinción no significa que Samsung vaya a encargar toda la memoria a TSMC. La noticia trata por separado las capas de memoria y el circuito lógico situado debajo de ellas. En concreto, en el NVHBM, el chip base asume una función más importante. Según el comunicado oficial de Nvidia del 26 de agosto, la arquitectura traslada el controlador de memoria —que normalmente se encuentra en el procesador principal— al interior de la pila HBM tridimensional. De este modo, se puede destinar una mayor parte del espacio del procesador a las unidades de cálculo. La tecnología se está desarrollando para los clientes de NVLink Fusion que desean integrar sus propios procesadores de inteligencia artificial con la infraestructura de Nvidia.
Nvidia afirma que NVHBM ofrece un ancho de banda de memoria hasta un 30 % superior y un consumo energético de HBM un 15 % menor en comparación con el HBM4E estándar. La empresa también habla de un aumento de hasta un 25 % en el espacio del procesador principal que puede dedicarse a los cálculos. Estas son las ventajas anunciadas por Nvidia. La noticia sobre el nuevo suministro no indica que estos valores se hayan verificado mediante pruebas independientes en un producto que fabricarán conjuntamente Samsung y TSMC.
Otro objetivo de la colaboración es facilitar la adaptación al sistema de productos procedentes de diferentes proveedores de memoria. Nvidia señala que un diseño NVHBM estándar, que pueda obtenerse de varios fabricantes, reducirá el trabajo de ingeniería necesario para la integración y la validación. Por lo tanto, el tema principal de la noticia no es solo que dos fabricantes rivales se unan en el mismo proyecto, sino que Nvidia pueda adquirir memorias de diferentes proveedores que presenten un comportamiento similar.
El enfoque actual de Samsung, por su parte, es más integrado. La empresa había anunciado en febrero que, en la producción de HBM4, combinaba su propia tecnología de DRAM de 1c con un chip de base lógica de 4 nanómetros. El hecho de llevar a cabo bajo un mismo techo los trabajos de memoria, fundición y encapsulado avanzado constituye la base del modelo de producción que Samsung ofrece a sus clientes. La propuesta de NVHBM demuestra que este modelo puede adaptarse a los requisitos técnicos de un cliente concreto.
Según el Seoul Economic Daily, Samsung mantendrá su propio modelo de producción en los productos HBM estándar y en las memorias específicas para otros clientes. Se señala que la empresa también está barajando la opción de fabricar el chip base NVHBM en su propia fundición, ante la posibilidad de que la capacidad de TSMC no pueda satisfacer la demanda. Por lo tanto, esta información no debe interpretarse como que Samsung se haya retirado de la producción de HBM o que haya externalizado toda la fabricación de chips base. Se espera que las empresas hagan declaraciones sobre el uso del proceso de 3 nanómetros de TSMC y los detalles de una posible división de tareas.
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